1. MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE - STRUKTURA I WŁAŚCIWOŚCI: 1.1. Wstęp ; 1.2. Półprzewodniki samoistne ; 1.3. Półprzewodniki niesamoistne ; 1.4. Koncentracje nośników, poziom Fermiego ; 1.5. Mechanizmy transportu nośników oraz konduktywność półprzewodników ; 1.6. Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej ; 2. ZŁĄCZE P-N: 2.1. Wstęp ; 2.2. Złącze P-N w stanie równowagi termodynamicznej ; 2.3. Spolaryzowane złącze P-N ; 2.4. Odstępstwa od charakterystyki złącza idealnego ; 2.5. Charakterystyka prądowo-napieciowa złącza silnie domieszkowanego ; 2.6. Parametry dynamiczne złącza P-N ; 2.7. Wpływ temperatury na charakterystykę prądowo-napięciową złącza P-N ; 3. Diody półprzewodnikowe: 3.1. Ogólne uwagi o strukturze i właściwościach diod półprzewodnikowych ; 3.2. Diody prostownicze ; 3.3. Diody uniwersalne ; 3.4. Diody impulsowe ; 3.5. Diody stabilizacyjne ; 3.6. Diody pojemnościowe ; 3.7. Diody tunelowe ; 3.8. Diody mikrofalowe (detekcyjne, mieszające oraz sterowane impedancje) ; 4.TRANZYSTORY BIPOLARNE: 4.1. Wstęp ; 4.2. Zasada działania tranzystora bipolarnego ; 4.3. Opis właściwości tranzystora bipolarnego dla prądu stałego ; 4.4. Modele (schematy zastępcze) małosygnałowe tranzystora bipolarnego ; 4.5. Procesy przejściowe w tranzystorze bipolarnym ; 5.TRANZYSTORY POLOWE: 5.1. Ogólne uwagi i klasyfikacja tranzystorów polowych ; 5.2. Tranzystory polowe złączowe ; 5.3. Tranzystory polowe z izolowaną bramką ; 5.4. Liniowe modele tranzystorów polowych dla prądu stałego ; 5.5. Modele małosygnałowe tranzystorów polowych ; 6. PÓŁPRZEWODNIKOWE ELEMENTY PRZEŁĄCZNIKOWE: 6.1. Wstęp ; 6.2. Tranzystor jednozłączowy ; 6.3. Przyrządy czterowarstwowe (P-N-P-N) ; 6.4. Diak i triak ; 7. PRZYRZADY OPTOELEKTRONICZNE: 7.1. Wstęp ; 7.2. Fotorezystory ; 7.3. Fotodiody ; 7.4. Diody elektroluminescencyjne ; 7.5. Transoptory.